Tim Sveučilišta u Pekingu razvija uređaj za napajanje na bazi GaN-a koji prelazi 10 000 volti

Istraživački tim Sveučilišta u Pekingu uspješno je razvio uređaj za napajanje na bazi GaN-a koji prelazi 10.000 volti, predlažući novu vrstu aktivnog pasivizirajućeg tranzistora. Ova tehnologija učinkovito rješava probleme učinaka zamke visokog polja i učinaka koncentracije električnog polja te postiže niske karakteristike dinamičkog otpora pri uključivanju.