Pekingi ülikooli meeskond töötab välja täiustusrežiimiga GaN-põhise toiteseadme, mille pinge on üle 10 000 volti

Pekingi ülikooli uurimisrühm töötas edukalt välja täiendusrežiimil GaN-põhise toiteseadme, mille pinge ületab 10 000 volti, pakkudes välja uut tüüpi aktiivse passivatsioonitransistori. See tehnoloogia lahendab tõhusalt suure väljalõksu efektide ja elektrivälja kontsentratsiooniefektide probleemid ning saavutab madalad dünaamilised sisselülitustakistused.