Ekipi i Universitetit të Pekinit zhvillon pajisjen e energjisë me bazë GaN në modalitetin e përmirësimit që tejkalon 10,000 volt

Ekipi hulumtues i Universitetit të Pekinit zhvilloi me sukses një pajisje fuqie me bazë GaN në modalitetin e përmirësimit që tejkalon 10,000 volt duke propozuar një lloj të ri të tranzistorit pasivues aktiv. Kjo teknologji zgjidh në mënyrë efektive problemet e efekteve të kurthit në fushë të lartë dhe efekteve të përqendrimit të fushës elektrike, dhe arrin karakteristika të ulëta dinamike në rezistencë.