ပီကင်းတက္ကသိုလ်အဖွဲ့သည် 10,000 ဗို့ထက်ကျော်လွန်သော GaN-based ပါဝါကိရိယာကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

ပီကင်းတက္ကသိုလ် သုတေသနအဖွဲ့သည် တက်ကြွသော passivation ထရန်စစ္စတာ အမျိုးအစားသစ်ကို အဆိုပြုခြင်းဖြင့် 10,000 ဗို့ထက်ကျော်သည့် GaN-based ပါဝါသုံး ပါဝါကိရိယာကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်နိုင်ခဲ့သည်။ ဤနည်းပညာသည် high-field trap effect နှင့် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းအာရုံစူးစိုက်မှုဆိုင်ရာသက်ရောက်မှုများ၏ ပြဿနာများကို ထိရောက်စွာဖြေရှင်းနိုင်ပြီး ဒိုင်နမစ်အပေါ်ခံနိုင်ရည်နည်းပါးသောလက္ခဏာများကို ရရှိစေသည်။