ທີມງານມະຫາວິທະຍາໄລປັກກິ່ງພັດທະນາຮູບແບບການປັບປຸງອຸປະກອນໄຟຟ້າທີ່ໃຊ້ GaN ເກີນ 10,000 ໂວນ

ທີມວິໄຈຂອງມະຫາວິທະຍາໄລປັກກິ່ງໄດ້ປະສົບຜົນສຳເລັດໃນການພັດທະນາອຸປະກອນພະລັງງານທີ່ອີງໃສ່ GaN ຮູບແບບການເພີ່ມປະສິດທິພາບເກີນ 10,000 ໂວນ ໂດຍການສະເໜີເປັນປະເພດໃໝ່ຂອງ transistor passivation ທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວ. ເທກໂນໂລຍີນີ້ແກ້ໄຂບັນຫາຂອງຜົນກະທົບໃສ່ກັບດັກພາກສະຫນາມສູງແລະຜົນກະທົບຄວາມເຂັ້ມຂົ້ນຂອງພາກສະຫນາມໄຟຟ້າຢ່າງມີປະສິດທິພາບ, ແລະບັນລຸຄຸນລັກສະນະການຕ້ານທານແບບເຄື່ອນໄຫວຕ່ໍາ.