Tim Universitas Peking mengembangkan mode peningkatan perangkat daya berbasis GaN melebihi 10.000 volt

Tim peneliti Universitas Peking berhasil mengembangkan perangkat daya berbasis GaN mode peningkatan yang melebihi 10.000 volt dengan mengusulkan transistor pasivasi aktif jenis baru. Teknologi ini secara efektif memecahkan masalah efek perangkap medan tinggi dan efek konsentrasi medan listrik, serta mencapai karakteristik resistansi dinamis yang rendah.