تیم دانشگاه پکن دستگاه برق مبتنی بر GaN حالت بهبود را توسعه می دهد که بیش از 10000 ولت است.

تیم تحقیقاتی دانشگاه پکن با پیشنهاد نوع جدیدی از ترانزیستور غیرفعال سازی فعال، یک دستگاه قدرت مبتنی بر GaN با حالت بهبود بیش از 10000 ولت را با موفقیت توسعه داد. این فناوری به طور موثر مشکلات اثرات تله میدان بالا و اثرات غلظت میدان الکتریکی را حل می کند و به ویژگی های مقاومت دینامیکی پایین دست می یابد.