צוות אוניברסיטת פקין מפתח התקן מתח מבוסס GaN במצב שיפור העולה על 10,000 וולט

צוות המחקר של אוניברסיטת פקין פיתח בהצלחה מכשיר הספק מבוסס GaN במצב שיפור העולה על 10,000 וולט על ידי הצעת סוג חדש של טרנזיסטור פסיביות אקטיבי. טכנולוגיה זו פותרת ביעילות את הבעיות של השפעות מלכודות בשדה גבוה והשפעות של ריכוז שדה חשמלי, ומשיגה מאפייני התנגדות דינמיים נמוכים.