Peking Universiteit span ontwikkel verbeteringsmodus GaN-gebaseerde kragtoestel wat 10 000 volt oorskry

Die navorsingspan van die Peking Universiteit het suksesvol 'n verbeteringsmodus GaN-gebaseerde kragtoestel ontwikkel wat 10 000 volt oorskry deur 'n nuwe tipe aktiewe passiveringstransistor voor te stel. Hierdie tegnologie los effektief die probleme van hoë-veld lokval effekte en elektriese veld konsentrasie effekte op, en bereik lae dinamiese aan-weerstand eienskappe.