Бээжингийн их сургуулийн баг GaN-д суурилсан цахилгаан төхөөрөмжүүдийн динамик босго хүчдэлийн зөрүүг шийдэж байна

Бээжингийн их сургуулийн судалгааны баг металл/тусгаарлагч давхарга/p-GaN-ийн шинэ төхөөрөмжийн бүтцийг санал болгосноор GaN-д суурилсан цахилгаан төхөөрөмжүүдийн динамик босго хүчдэлийн шилжилтийн асуудлыг амжилттай шийдвэрлэжээ. Энэ технологи нь бараг 20 В-ын үүдний хүчдэлийн нэмэлтийг хангаад зогсохгүй динамик босго хүчдэлийн шилжилтийг арилгадаг.