Das Team der Universität Peking löst das Problem der dynamischen Schwellenspannungsdrift von GaN-basierten Leistungsgeräten

Das Forschungsteam der Universität Peking löste erfolgreich das Problem der dynamischen Schwellenspannungsdrift von GaN-basierten Leistungsgeräten, indem es eine neue Gerätestruktur aus Metall/Isolierschicht/p-GaN vorschlug. Diese Technologie erreicht nicht nur eine Gate-Spannungsredundanz von nahezu 20 V, sondern eliminiert auch dynamische Schwellenspannungsdrift.