Une équipe de l'Université de Pékin résout le problème de dérive de tension de seuil dynamique des dispositifs électriques à base de GaN

L’équipe de recherche de l’Université de Pékin a résolu avec succès le problème de dérive de tension de seuil dynamique des dispositifs électriques à base de GaN en proposant une nouvelle structure de dispositif métal/couche isolante/p-GaN. Cette technologie permet non seulement d'obtenir une redondance de tension de grille de près de 20 V, mais élimine également la dérive dynamique de la tension de seuil.