Un team dell'Università di Pechino risolve il problema della deriva dinamica della tensione di soglia dei dispositivi di potenza basati su GaN

Il gruppo di ricerca dell'Università di Pechino ha risolto con successo il problema della deriva dinamica della tensione di soglia dei dispositivi di potenza basati su GaN proponendo una nuova struttura del dispositivo di metallo/strato isolante/p-GaN. Questa tecnologia non solo raggiunge una ridondanza della tensione di gate di quasi 20 V, ma elimina anche la deriva dinamica della tensione di soglia.