Peking University Team léist dynamesch Schwellespannungsdriftproblem vu GaN-baséiert Kraaftapparater

D'Fuerschungsteam vun der Peking University huet den dynamesche Schwellespannungsdriftproblem vu GaN-baséiert Kraaftapparater erfollegräich geléist andeems se eng nei Apparatstruktur vu Metall / Isoléierschicht / p-GaN proposéieren. Dës Technologie erreecht net nëmmen bal 20V Gate Spannungsredundanz, awer eliminéiert och dynamesch Schwellespannungsdrift.