Η ομάδα του Πανεπιστημίου του Πεκίνου λύνει το πρόβλημα δυναμικής μετατόπισης τάσης κατωφλίου των συσκευών ισχύος που βασίζονται σε GaN

Η ερευνητική ομάδα του Πανεπιστημίου του Πεκίνου έλυσε με επιτυχία το πρόβλημα δυναμικής μετατόπισης τάσης κατωφλίου των συσκευών ισχύος που βασίζονται σε GaN προτείνοντας μια νέα δομή συσκευής από μέταλλο/μονωτικό στρώμα/p-GaN. Αυτή η τεχνολογία όχι μόνο επιτυγχάνει πλεονασμό τάσης πύλης σχεδόν 20 V, αλλά επίσης εξαλείφει τη δυναμική μετατόπιση τάσης κατωφλίου.