Echipa Universității din Peking rezolvă problema dinamică a deplasării tensiunii de prag a dispozitivelor de alimentare bazate pe GaN

Echipa de cercetare a Universității din Peking a rezolvat cu succes problema deplasării dinamice a tensiunii de prag a dispozitivelor de putere bazate pe GaN, propunând o nouă structură a dispozitivului din metal/strat izolator/p-GaN. Această tehnologie nu numai că realizează o redundanță a tensiunii de poartă de aproape 20 V, dar elimină și deviația dinamică a tensiunii de prag.