Тим Универзитета у Пекингу решава проблем динамичког померања напона прага енергетских уређаја на бази ГаН

Истраживачки тим Универзитета у Пекингу успешно је решио проблем динамичког померања напона прага енергетских уређаја заснованих на ГаН предлажући нову структуру уређаја метал/изолациони слој/п-ГаН. Ова технологија не само да постиже редундансу напона гејта од скоро 20 В, већ и елиминише динамичко одступање напона прага.