Tým Pekingské univerzity řeší problém dynamického driftu prahového napětí energetických zařízení na bázi GaN

Výzkumný tým Pekingské univerzity úspěšně vyřešil problém dynamického prahového napěťového driftu výkonových zařízení na bázi GaN navržením nové struktury zařízení z kovu/izolační vrstvy/p-GaN. Tato technologie nejen dosahuje téměř 20V redundance hradlového napětí, ale také eliminuje dynamický drift prahového napětí.