A Pekingi Egyetem csapata megoldja a dinamikus küszöbfeszültség-drift problémát a GaN-alapú áramellátó eszközökön

A Pekingi Egyetem kutatócsoportja sikeresen oldotta meg a GaN-alapú áramellátó eszközök dinamikus küszöbfeszültség-drift-problémáját egy új, fém/szigetelőréteg/p-GaN szerkezeti javaslattal. Ez a technológia nemcsak közel 20 V-os kapufeszültség redundanciát ér el, hanem kiküszöböli a dinamikus küszöbfeszültség-driftet is.