Tim sa Sveučilišta u Pekingu rješava problem dinamičkog pomaka napona praga energetskih uređaja temeljenih na GaN-u

Istraživački tim Sveučilišta u Pekingu uspješno je riješio problem dinamičkog pomaka napona praga energetskih uređaja temeljenih na GaN-u predlažući novu strukturu uređaja metal/izolacijski sloj/p-GaN. Ova tehnologija ne samo da postiže redundanciju napona vrata od gotovo 20 V, već također eliminira dinamičko pomicanje napona praga.