ပီကင်းတက္ကသိုလ်အဖွဲ့သည် GaN အခြေခံ ပါဝါစက်ပစ္စည်းများ၏ ဒိုင်းနမစ်အဆင့်ဗို့အား ပျံ့လွင့်မှုပြဿနာကို ဖြေရှင်းပေးသည်။

ပီကင်းတက္ကသိုလ် သုတေသနအဖွဲ့သည် သတ္တု/လျှပ်ကာအလွှာ/p-GaN ၏ စက်ပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံအသစ်ကို အဆိုပြုခြင်းဖြင့် GaN-based ပါဝါစက်များ၏ ရွေ့လျားလျှောစီးမှုပြဿနာကို အောင်မြင်စွာဖြေရှင်းနိုင်ခဲ့သည်။ ဤနည်းပညာသည် 20V gate voltage redundancy နီးပါးကို ရရှိရုံသာမက dynamic threshold voltage drift ကို ဖယ်ရှားပေးပါသည်။