Niresolba ng koponan ng Peking University ang dynamic na threshold voltage drift na problema ng GaN-based na power device

Matagumpay na nalutas ng pangkat ng pananaliksik ng Peking University ang dynamic na threshold voltage drift na problema ng GaN-based na mga power device sa pamamagitan ng pagmumungkahi ng bagong istraktura ng device ng metal/insulating layer/p-GaN. Ang teknolohiyang ito ay hindi lamang nakakamit ng halos 20V gate voltage redundancy ngunit inaalis din ang dynamic na threshold voltage drift.