Pekin Universitetinin komandası GaN əsaslı güc cihazlarının dinamik həddi gərginlik sürüşməsi problemini həll edir

Pekin Universitetinin tədqiqat qrupu, metal/izolyasiya təbəqəsi/p-GaN-in yeni cihaz quruluşunu təklif edərək GaN əsaslı güc cihazlarının dinamik həddi gərginlik sürüşməsi problemini uğurla həll etdi. Bu texnologiya nəinki 20V-a yaxın darvazanın gerilim ehtiyatına nail olur, həm də dinamik həddi gərginliyin sürüşməsini aradan qaldırır.