პეკინის უნივერსიტეტის გუნდი წყვეტს GaN-ზე დაფუძნებული ენერგეტიკული მოწყობილობების ძაბვის დინამიური ბარიერის დრიფტის პრობლემას

პეკინის უნივერსიტეტის კვლევითმა ჯგუფმა წარმატებით გადაჭრა GaN-ზე დაფუძნებული ენერგეტიკული მოწყობილობების დინამიური ზღვრული ძაბვის დრიფტის პრობლემა ლითონის/საიზოლაციო ფენის/p-GaN-ის ახალი მოწყობილობის სტრუქტურის შემოთავაზებით. ეს ტექნოლოგია არა მხოლოდ აღწევს თითქმის 20 ვ კარიბჭის ძაბვის სიჭარბეს, არამედ გამორიცხავს ძაბვის დინამიურ ბარიერს.