Equipo Universidad de Pekín osoluciona problema deriva de tensión umbral dinámico umi dispositivo de potencia basado GaN-pe

Ko equipo de investigación Universidad de Pekín oresolve porã problema deriva de tensión umbral dinámico umi dispositivo de potencia basado GaN oproponévo estructura dispositivo pyahu capa metal/aislante/p-GaN. Ko tecnología ndaha'éi ohupytýva haimete 20V redundancia tensión compuerta sino avei omboyke deriva dinámica tensión umbral.