Pekingin yliopiston tiimi toteuttaa GaN-pohjaisen integroidun CMOS-piirisirun minimaalisella lähetysviiveellä

Ehdottamalla polarisaatiotehostetun ionisaation käsitettä Pekingin yliopiston tutkimusryhmä onnistui toteuttamaan GaN-pohjaisen integroidun CMOS-piirisirun minimaalisella lähetysviiveellä. Tämä tekniikka lisää suuresti p-kanavatransistorien virrantiheyttä.