Het team van de Universiteit van Peking realiseert een op GaN gebaseerde CMOS-chip met geïntegreerde schakeling met minimale transmissievertraging

Door het concept van polarisatie-verbeterde ionisatie voor te stellen, heeft het onderzoeksteam van de Universiteit van Peking met succes een op GaN gebaseerde CMOS-chip met geïntegreerde schakeling gerealiseerd met minimale transmissievertraging. Deze technologie verhoogt de stroomdichtheid van p-kanaaltransistors aanzienlijk.