Il team dell'Università di Pechino realizza un chip di circuito integrato CMOS basato su GaN con un ritardo di trasmissione minimo

Proponendo il concetto di ionizzazione potenziata dalla polarizzazione, il gruppo di ricerca dell'Università di Pechino ha realizzato con successo un chip di circuito integrato CMOS basato su GaN con un ritardo di trasmissione minimo. Questa tecnologia aumenta notevolmente la densità di corrente dei transistor a canale p.