Tuigeann foireann Ollscoil Peking sliseanna ciorcaid chomhtháite CMOS bunaithe ar GaN gan mórán moille tarchurtha

D'éirigh le foireann taighde Ollscoil Peking sliseanna ciorcad iomlánaithe CMOS bunaithe ar GaN a bhaint amach le moill íosta tarchurtha trí choincheap an ianaithe feabhsaithe polaraithe a mholadh. Méadaíonn an teicneolaíocht seo go mór dlús reatha trasraitheoirí p-chainéil.