Echipa de la Universitatea din Peking realizează un cip de circuit integrat CMOS bazat pe GaN cu întârziere minimă de transmisie

Propunând conceptul de ionizare îmbunătățită prin polarizare, echipa de cercetare a Universității Peking a realizat cu succes un cip de circuit integrat CMOS bazat pe GaN, cu întârziere minimă de transmisie. Această tehnologie crește foarte mult densitatea de curent a tranzistoarelor cu canal p.