Tým Pekingské univerzity realizuje čip s integrovaným obvodem CMOS založený na GaN s minimálním přenosovým zpožděním

Výzkumný tým Pekingské univerzity úspěšně realizoval čip s integrovaným obvodem CMOS založený na GaN s minimálním přenosovým zpožděním tím, že navrhl koncept ionizace se zvýšenou polarizací. Tato technologie výrazně zvyšuje proudovou hustotu p-kanálových tranzistorů.