A Pekingi Egyetem csapata GaN-alapú CMOS integrált áramköri chipet valósít meg minimális átviteli késleltetéssel

A Pekingi Egyetem kutatócsoportja sikeresen megvalósított egy GaN-alapú CMOS integrált áramköri chipet minimális átviteli késleltetéssel a polarizációval megnövelt ionizáció koncepciójának javaslatával. Ez a technológia nagymértékben megnöveli a p-csatornás tranzisztorok áramsűrűségét.