Команда Пекінського університету реалізує інтегральну мікросхему CMOS на основі GaN з мінімальною затримкою передачі

Дослідницька група Пекінського університету успішно реалізувала інтегральну мікросхему CMOS на основі GaN з мінімальною затримкою передачі, запропонувавши концепцію поляризаційної іонізації. Ця технологія значно збільшує щільність струму p-канальних транзисторів.