Die Universiteit van Peking-span besef GaN-gebaseerde CMOS-geïntegreerde stroombaanskyfie met minimale transmissievertraging

Die navorsingspan van die Peking Universiteit het suksesvol 'n GaN-gebaseerde CMOS-geïntegreerde stroombaanskyfie met minimale transmissievertraging gerealiseer deur die konsep van polarisasie-verbeterde ionisasie voor te stel. Hierdie tegnologie verhoog die stroomdigtheid van p-kanaal transistors aansienlik.