Peking University turmas cognoscit GaN-based CMOS ambitum integralem chip cum minimo tradendo mora

Turma investigationis Universitatis Peking feliciter percepit a GaN-based CMOS ambitum integralem chip cum minima transmissione morae proponens conceptum polarisationis ionizationis auctum. Haec technica multum auget densitatem hodiernam transistorum p-channi.