北京大學團隊開發出650V Si基GaN高壓整合晶片

北京大學的研究團隊透過創新提出的虛體隔離技術，成功開發了650V Si基GaN高壓整合晶片。這項技術有效地解決了高壓訊號的串擾效應和p通道電晶體的低電流密度問題。