북경대학교 팀, 650V Si 기반 GaN 고전압 통합 칩 개발

북경대학교 연구팀은 혁신적인 가상 분리 기술을 통해 650V Si 기반 GaN 고전압 통합 칩을 개발하는 데 성공했습니다. 이 기술은 고전압 신호의 누화 효과와 p채널 트랜지스터의 낮은 전류 밀도 문제를 효과적으로 해결합니다.