Une équipe de l'Université de Pékin développe une puce intégrée haute tension GaN basée sur Si 650 V

L’équipe de recherche de l’Université de Pékin a développé avec succès une puce intégrée GaN haute tension à base de Si de 650 V grâce à une technologie innovante d’isolation virtuelle. Cette technologie résout efficacement l'effet de diaphonie des signaux haute tension et le problème de faible densité de courant des transistors à canal P.