Equipe da Universidade de Pequim desenvolve chip integrado de alta tensão GaN baseado em Si de 650V

A equipe de pesquisa da Universidade de Pequim desenvolveu com sucesso um chip integrado de alta tensão GaN baseado em Si de 650V por meio de tecnologia inovadora de isolamento virtual. Esta tecnologia resolve efetivamente o efeito crosstalk dos sinais de alta tensão e o problema de baixa densidade de corrente dos transistores do canal p.