Het team van de Universiteit van Peking ontwikkelt een 650V Si-gebaseerde GaN-geïntegreerde hoogspanningschip

Het onderzoeksteam van de Universiteit van Peking heeft met succes een 650V Si-gebaseerde GaN-geïntegreerde hoogspanningschip ontwikkeld door middel van innovatieve virtuele isolatietechnologie. Deze technologie lost effectief het overspraakeffect van hoogspanningssignalen en het probleem van de lage stroomdichtheid van p-kanaaltransistoren op.