Un equipo de la Universidad de Pekín desarrolla un chip integrado de alto voltaje GaN basado en Si de 650 V
Tecnología de Beijing
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2024-12-25 20:21
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El equipo de investigación de la Universidad de Pekín desarrolló con éxito un chip integrado de alto voltaje GaN basado en Si de 650 V mediante una innovadora tecnología de aislamiento virtual. Esta tecnología resuelve eficazmente el efecto de diafonía de las señales de alto voltaje y el problema de baja densidad de corriente de los transistores de canal p.
