Il team dell'Università di Pechino sviluppa un chip integrato GaN ad alta tensione basato su Si da 650 V

Il gruppo di ricerca dell'Università di Pechino ha sviluppato con successo un chip integrato GaN ad alta tensione basato su Si da 650 V attraverso un'innovativa tecnologia di isolamento virtuale. Questa tecnologia risolve efficacemente l'effetto di diafonia dei segnali ad alta tensione e il problema della bassa densità di corrente dei transistor a canale p.