Η ομάδα του Πανεπιστημίου του Πεκίνου αναπτύσσει ολοκληρωμένο τσιπ υψηλής τάσης GaN με βάση 650 V Si

Η ερευνητική ομάδα του Πανεπιστημίου του Πεκίνου ανέπτυξε με επιτυχία ένα ολοκληρωμένο τσιπ υψηλής τάσης GaN βασισμένο σε Si-650V μέσω καινοτόμου τεχνολογίας εικονικής απομόνωσης. Αυτή η τεχνολογία επιλύει αποτελεσματικά το φαινόμενο crosstalk των σημάτων υψηλής τάσης και το πρόβλημα χαμηλής πυκνότητας ρεύματος των τρανζίστορ καναλιού p.