Команда Пекинского университета разработала высоковольтный интегральный чип GaN на основе кремния с напряжением 650 В
2024-12-25 20:21
0
Исследовательская группа Пекинского университета успешно разработала высоковольтный интегрированный чип GaN на основе кремния с напряжением 650 В с помощью инновационной технологии виртуальной изоляции. Эта технология эффективно решает проблему перекрестных помех высоковольтных сигналов и проблему низкой плотности тока p-канальных транзисторов.
