Тим Универзитета у Пекингу развија високонапонски интегрисани чип ГаН на бази Си од 650 В
2024-12-25 20:21
0
Истраживачки тим Универзитета у Пекингу успешно је развио 650В Си-базирани ГаН високонапонски интегрисани чип кроз иновативну технологију виртуелне изолације. Ова технологија ефикасно решава ефекат преслушавања високонапонских сигнала и проблем ниске густине струје п-каналних транзистора.
