Tím Pekingskej univerzity vyvíja vysokonapäťový integrovaný čip GaN na báze 650 V Si

Výskumný tím Pekingskej univerzity úspešne vyvinul vysokonapäťový integrovaný čip GaN založený na 650 V Si prostredníctvom inovatívnej technológie virtuálnej izolácie. Táto technológia efektívne rieši presluchový efekt vysokonapäťových signálov a problém nízkej prúdovej hustoty p-kanálových tranzistorov.