Tým Pekingské univerzity vyvíjí vysokonapěťový integrovaný čip GaN na bázi 650V Si
2024-12-25 20:21
0
Výzkumný tým Pekingské univerzity úspěšně vyvinul vysokonapěťový integrovaný čip GaN založený na 650V Si prostřednictvím inovativní technologie virtuální izolace. Tato technologie efektivně řeší přeslechový efekt vysokonapěťových signálů a problém s nízkou proudovou hustotou p-kanálových tranzistorů.
