A Pekingi Egyetem csapata 650 V-os Si-alapú GaN nagyfeszültségű integrált chipet fejleszt

A Pekingi Egyetem kutatócsoportja sikeresen kifejlesztett egy 650 V-os Si-alapú GaN nagyfeszültségű integrált chipet az innovatív virtuális leválasztási technológia révén. Ez a technológia hatékonyan oldja meg a nagyfeszültségű jelek áthallási hatását és a p-csatornás tranzisztorok alacsony áramsűrűségének problémáját.