Tim Sveučilišta u Pekingu razvija visokonaponski integrirani čip GaN od 650 V baziran na siliju

Istraživački tim Sveučilišta u Pekingu uspješno je razvio visokonaponski integrirani čip GaN na bazi 650 V Si-ja putem inovativne tehnologije virtualne izolacije. Ova tehnologija učinkovito rješava učinak preslušavanja visokonaponskih signala i problem male gustoće struje p-kanalnih tranzistora.