Ekipi i Universitetit të Pekinit zhvillon çipin e integruar me tension të lartë GaN me bazë 650 V Si

Ekipi hulumtues i Universitetit të Pekinit zhvilloi me sukses një çip të integruar GaN të tensionit të lartë me bazë 650 V Si përmes teknologjisë inovative të izolimit virtual. Kjo teknologji zgjidh në mënyrë efektive efektin e ndërlidhjes së sinjaleve të tensionit të lartë dhe problemin e densitetit të ulët të rrymës së transistorëve të kanalit p.